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意法NOR闪存跨入90纳米制程世代
[文章信息]
作者:文志磊
时间:2003-10-14
出处:天极Myhard
责任编辑:Marco
[文章导读]
意法半导体公司，日前发表首款应用90纳米先进制程技术的NOR闪存，芯片尺寸……
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[正文]
　　天极网10月14日消息 意法半导体公司，日前发表首款应用90纳米先进制程技术的NOR闪存，芯片尺寸较采用0.13微米制程的同类产品缩减50%，能够有效降低制造成本，同时提供低功耗与高效能的特性。

　　意法半导体表示，90纳米制程NOR闪存由该公司意大利非挥发性内存研发中心开发，较之现有的0.13微米制程，90纳米制程能够有效缩减约50%的芯片体积，可折算为128Mb容量，从而达到降低制造成本的目的。此外，90纳米制程还能够有效提升芯片周边CMOS电路的逻辑效能。

　　意法半导体还指出，通过改良的闪存密度与CMOS电路逻辑效能，90纳米制程的应用将进一步巩固公司在系统单芯片市场的领先地位。此外，意法半导体现已采用该制程技术制造出128Mb容量的闪存芯片原型，并已进入了评估阶段。（完）
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