| | | [文章导读] | | | 明年DDR2内存将成为PC上的主流内存。那么与上一代产品相比，DDR2有何不同或有什么优、缺点呢？ | |
| | [文章信息] | | | 作者: | 姑苏飘雪 | | 时间: | 2004-05-30 | | 出处: | 天极Myhard | | 责编: | 寒冬 | |
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这样，虽然DDR2的核心频率和DRAM芯片的核心频率一样—都只有100MHz，但是所得到的带宽却有所不同。对于SDRAM，其带宽为800MB/s， DDR SDRAM的带宽为1600MB/s，而DDR2 SDRAM却获得了3200MB/s的带宽。也正是此类多路并行技术，尽管内存单元工作在一样的低频率，而内存模块却拥更高带宽。而这些是我们所需要的！这也是DDR2与DDR这两个概念的主要不同之处。然而这两种内存类型之间的差别并不仅仅是带宽高低之上。
除带宽以外，还的一个重要特征：延迟。正如前面所提到的，由于内存单元上带有刷新电路，因此不是任何时候都可以对内存单元进行存储操作的。而且算单元可以随时时行操作，但它也不可能的马上获取它所需要的数据。因为，整个操作过程存在两种时间延迟：一种是建立行/列地址所需要的时间延迟，以及建立两种行地址和列地址之间的最小时间间隔。这些延迟是DRAM芯片所固有的特性，但不同类型内存模块的延迟特性有所不同。
让我们现在看一下与延迟有关的东西。假设在上图中的各内存模块的单元阵列工作在2-2-2的时钟组合。因为在所有情况下这些单元的工作频率是一样的，故所有模块将拥有一样的延迟(在这里我们以PC100，DDR200和DDR2-400为例)，只是各自带宽不同而已。
在这里顺便说明一下，2-2-2组合是指CAS延迟，RAS-to-CAS延迟和RAS加压的时间。第一个数字是读取列地址的延迟，第二个是获取行和列地址之间的延迟，第三个是在获取数据之前阵列内存储单元加压所需要的时间。但实际上，存储单元的工作频率并不一样的。
例如，PC133的DRAM 单元工作在133MHz下，因此，DDR200比PC133拥有更高带宽，但是是其相应的延迟却比PC133低。事实上，延迟时钟数是一样的，只是PC133的频率高了33％。因此，只有DDR266的时间延迟和PC133的时间延迟才是一致的，这在某种程度上也说明了DDR SDRAM的优势所在。
同样，DDR200和DDR2-400的延迟也是一样的，而DDR2-400的带宽要比DDR200的高。但事实是DDR2-400与DDR400相比更胜于与DDR200相比：第一，DDR2-400和DDR400的带宽是一样的，都是3.2GB/s；第二，DDR400的核心频率是200MHz，而DDR2-400的核心频率只有100MHz。因此，DDR2-400的延迟明显比DDR400短多了，甚至与DDR400的典型延迟是3，而非2。
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