| | | | | | | [文章信息] | | | 作者: | 驱动之家评测室 | | 时间: | 2004-03-01 | | 出处: | 天极Myhard | | 责任编辑: | 摩羯 | |
| [文章导读] | | | 从测试成绩来看，集成显卡确实玩很多游戏，绝不像很多人讲的那么烂。 | |
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Memory Timings是内存延迟时间优化选项， 提供4种参数设置模式：Optimal优化参数，Aggressive极限参数，Turbo加速参数，Expert手动设置。这里我们选择Expert参数对内存延迟时间进行设置。
在设置延迟时间之前，弄清楚每个延迟时间的含义，有助于减少延迟时间设置失误的次数：
T(RAS)—内存行地址选通延迟。
T(RCD)—内存行地址传输到列地址的延迟时间，该参数可以控制SDRAM行地址选通脉冲(RAS)信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。
T(RP)—内存行地址选通脉冲预充电时间，该参数可以控制在进行SDRAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数。
CAS Latency—内存CAS延迟时间。内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。
只明白延迟时间含义是不够的，内存条的品质决定优化的幅度，建议用SiSoftware2004查看内存的延迟时间。调整前做到知已知彼，优化时才会得心应手。通常调整CAS延迟时间性能提升最为显著，T(RAS)可试着往下调一点，若您的内存品质非常优秀，可再将T(RCD)和T(RP)往下调一点。当然不要太贪心，否则会给以黑脸抗议。
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