Toledo处理器的两个内核分别具有1MB二级缓存，采用90纳米工艺制造，内建2.05亿个晶体管。为了进一步改善性能，Toledo所集成的两个内核共享HyperTransport连接以及双通道128bit DDR内存控制器。更为重要的是，Toledo可以运行于现有的Socket 939架构上，并保持与目前单内核Athlon 64相同的功率110W。用户只需更升级BIOS就可以使用该款处理器。这才是真正令广大用户欢呼雀跃的事情。与Intel相比，AMD显然更加“照顾”老用户，这样才深得人心。

二、65纳米制作工艺

　　制作工艺对于CPU的重要性不言而喻，无论是提高主频还是集成更多的缓存或者改进新的核心，这些都需要更为强大的制作工艺作为支撑。一代又一代的微处理器发展史几乎可以看作是制作工艺的发展史。进入90纳米时代之后，发展的脚步开始放缓，而如今65纳米制作工艺终于浮出水面。

1、何谓65纳米制作工艺

　　我们通常所说的CPU纳米制作工艺并非加工生产线，它指的是一种工艺尺寸，代表在一块硅晶圆片上集成的数以万计的晶体管之间的连线宽度。按技术术语来说，也就是指芯片上的最基本功能单元—门电路和门电路间连线的宽度。以90纳米制造工艺为例，此时门电路间的连线宽度为90纳米。采用65纳米制造工艺之后，与90纳米工艺相比，绝对不是简单地令连线宽度减少了35纳米，而是芯片制造工艺上的一个质的飞跃。

　　最新的65纳米制作工艺可以在不增加芯片体积的前提下，在相同体积内多集成将近一倍的晶体管，使芯片的功能得到扩展。目前Pentium4（Prescott核心）处理器其内部的晶体管信位宽度为50纳米，而使用65纳米技术后，处理器内部的晶体管信位宽度将缩减至44纳米。毫无疑问，信位宽度越小，晶体管的极限工作能力就越大，这也意味着更加出色的性能。对于NetBurst架构的Intel处理器而言，更高的主频有着很大的意义，而且新的制作工艺令集成更多缓存变得轻而易举。

2、第二代单轴应变硅隧道

　　此次Intel在启用65纳米制作工艺时还引入了极为重要的改进型SOI变形硅技术，也就是第二代单轴应变硅隧道，这对于更好地改善电气性能有着极大的帮助。

　　CPU所集成的晶体管是一个小开关，决定了电流的通与断，而在现实世界中，我们无法完全地控制电流，必须借助一些附加技术。SOI（Silicon-on-insulator，绝缘体硅片）就是为了防止泄漏电流和停止电流活动而设计的，变形硅则刚好相反，是为了驱动电流流动而设计的。事实上，SOI 与变形硅技术总是需要同时使用。

　　第二代单轴应变硅隧道将待变形硅片放在一种特殊的硅锗底基上，这种硅锗底基的原子间距离比待变形硅片原子间距离大，受底基原子作用，硅片中的原子也将向外运动，彼此间拉开距离，从而减少对电流的阻力。SOI变形硅有效地扩展了晶体管通道区域。把硅直接放到底层的顶部，可以预留更多的空间，更好地扩展到底层上，使上面的硅原子直接和底层相匹配，延伸硅元素到合适的通道中。硅原子有更多的空间后，电阻减少了，增加了电流通过的数量。最终结果是使电流流动强度提高了20～30%，或者使当前的电流更加顺畅，从而提高了晶体管的运行速度，提高了芯片的工作频率。