一般来说，影响内存性能高低的因素主要是以下两点，一是内存工作频率过低，无法和CPU同步运行。二是内存传输数据时的延迟时间过长，限制了内存的数据存取速度。因此，只要对主板BIOS进行设置，修改SPD值，就可以使内存性能得到进一步的优化。

　　1.提高内存工作频率

　　启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU:DRAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。

　　注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。

　　如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333，无疑就要选择“3∶4”。

　　如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。

　　2.调整内存延迟时间

　　我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：

　　（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。

　　（2）修改tRCD值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。

　　（3）修改tRP值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。

　　（4）修改tRAS值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短。